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したがって、今後の中国半導体については「台湾に追いつく／追いつかない」という二択ではなく、少なくとも三層に分けるべきです。

① メモリ 中国のキャッチアップがかなり速い。DRAM/NANDでは、韓国・米国勢の市場シェアを徐々に侵食する可能性がある。特に中国国内市場ではかなり強くなる可能性がある。

② AIアクセラレータ Huawei、Cambriconなどが急速に発展。中国国内ではNvidiaの代替が進む可能性がある。ただしHBMと先端製造がボトルネック。

③ 最先端ロジック ここが最も難しい。7nm級から3nm・2nm級へ移行するには、単なる資金投入以上に、EUVを含む製造装置・材料・プロセス統合・歩留まりなどの巨大な技術体系が必要です。中国が国産化を進めていますが、2026年時点ではまだTSMCとの差は大きい。

そして、これは韓国にかなり大きな意味を持ちます。

韓国の強みはまさに、

DRAM → HBM → NAND → 半導体製造

です。

ところが中国がDRAM/NANDで急速に追いつけば、韓国は「メモリの量産技術を持っている」というだけでは差別化しにくくなります。そこでSamsungやSK hynixはHBMなどAI向け高付加価値メモリへ急速に移行する必要があります。現在のAIメモリ不足がこの動きをさらに加速させています。

これは先ほどの韓国の雇用問題ともつながります。

韓国にとって、

中国がDRAM/NANDで追いつく ↓ 汎用品メモリの価格競争激化 ↓ Samsung/SK hynixがHBM・先端メモリへ集中 ↓ AI投資が続けば高収益 ↓ AI投資が失速すれば設備投資・雇用への反動が大きい

という構造になります。

つまり、中国のメモリ・AI追撃は韓国にとって単なる輸出競争ではなく、韓国経済の雇用吸収構造そのものを変える可能性があります。

一方、中国側には逆説があります。メモリ・AI・EV・ロボットなどで技術的に成功すればするほど、中国の製造能力が増えます。しかし中国国内の消費がそれに追いつかなければ、過剰生産・価格競争・輸出圧力が強まります。実際、2026年の合肥では製造業が急成長する一方、消費の伸びが極めて弱く、生産と消費の乖離が問題になっています。