先端半導体ではASMLのEUV露光装置が占めるコストウェイトが高いため、円安はデメリットが大きいのでは？その他似たような事例はあるはずだが？

Gemini

結論
​ご指摘の通り、先端半導体製造におけるASMLのEUV露光装置（およびその最新世代である高NA EUV露光装置）のコストウェイトは極めて高く、**1ドル200円といった極端な円安は、国内での先端半導体立ち上げ（ラピダスやTSMC熊本の次世代ラインなど）において巨額の初期投資（CAPEX）負担を強いるため、明確なデメリット（下押し要因）**となります。
​また、先端半導体と同様に「設備やコア部材の海外依存度（外貨建て比率）が極めて高く、円安の恩恵よりコストデメリットが上回る事例」は複数存在します。
​根拠・事実
​1. 先端半導体におけるEUV露光装置のコスト構造
​最先端の2nm～3nmプロセス以降の半導体製造において、ASMLのEUV露光装置は代替不可能な存在です。
​設備投資に占める巨額の割合: 従来のEUV装置でも1台あたり300億～400億円、最新の「高NA（High-NA）EUV装置」にいたっては1台あたり4億～5億ドル（約600億～750億円以上）に達します。先端ファブを1つ建設する際、露光装置の購入・維持費だけで投資総額の数割を占めるケースもあります。
​為替の直撃: これらはユーロまたはドル建てで決済されるため、1ドル200円（あるいはそれに見合うユーロ安・円安）の環境下では、日本国内に誘致・建設する際の設備導入コストが1.5倍～2倍近くに跳ね上がります。これは減価償却費を通じて、日本国内で生産される半導体の単価（製造原価）を長期にわたって押し上げる要因になります。
​2. 類似の構造を持つ他産業の事例
​「円安になっても国内回帰や輸出メリットが相殺される、またはマイナスになる」類似事例として、以下の3つが挙げられます。